中科院半導(dǎo)體所等證實單層二硫化鉬谷圓偏振光吸收性質(zhì)
《自然—通訊》（Nature Communications）zui近發(fā)表了北京大學量子材料科學中心（馮濟研究員和王恩哥教授為通訊作者）與*物理研究所和半導(dǎo)體研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer molybdenum disulphide。這項研究工作從理論上預(yù)言，并從實驗上證實了單層二硫化鉬的谷選擇圓偏振光吸收性質(zhì)。
對新型材料新奇量子特性的探索在現(xiàn)代科學研究中具有重要意義，它不但幫助人們認識物理學規(guī)律，還為技術(shù)的發(fā)展推波助瀾。對稱性和拓撲結(jié)構(gòu)在近期對新型量子材料的探索備受關(guān)注。在這篇文章中，馮濟研究員等通過*性原理計算研究，對于單層二硫化鉬的光吸收進行了研究分析。這項工作表明，單層二硫化鉬的能帶在六邊形布里淵區(qū)的頂點附近擁有“谷”狀結(jié)構(gòu)，而相鄰頂點的谷并不等價，它們分別吸收左旋光和右旋光，其選擇性近乎。這一理論得到了物理所劉寶利研究員研究組和半導(dǎo)體所譚平恒研究員研究組在實驗上的證實。
這項研究發(fā)現(xiàn)了材料中谷的旋光選擇性，對于新一代電子學—谷電子學的發(fā)展具有極其重要的意義。此前，谷電子學應(yīng)用的zui大挑戰(zhàn)，即谷極化尚未在單層原子薄膜中實現(xiàn)，而單層二硫化鉬的谷選擇性圓偏振光吸收特征恰恰解決了這一問題。材料的光霍爾效應(yīng)更為單層二硫化鉬中光電子學與谷電子學應(yīng)用構(gòu)筑了橋梁。
中科院半導(dǎo)體所等證實單層二硫化鉬谷圓偏振光吸收性質(zhì)
